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同步降壓MOSFET 電阻比的正確選擇
在本文中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。
2011-10-07
MOSFET 電阻比 同步降壓MOSFET
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2011年1-8月電子信息產業固定資產投資情況
今年以來，在各地大力發展戰略性新興產業的帶動下，電子信息產業固定資產投資保持高速增長，新開工項目明顯增多，基礎元器件領域投資領先增長，行業結構不斷調整。主要特點為：增速持續保持高位，投資規模超過去年11個月水平；光電器件、新能源電池等領域新開工項目明顯增多，帶動全行業新開工項目...
2011-10-06
電子信息 電子信息產業
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NESG7030M04：瑞薩新款SiGe:C異質接面晶體管提供高水平噪聲效能
瑞薩新款SiGe:C異質接面晶體管NESG7030M04提供高水平噪聲效能高級半導體廠商瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質接面晶體管 (SiGe:C HBT)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網絡系統、衛星無線電及類似應用。本裝置的制程采用全新開發的硅鍺：碳(SiGe:C)材...
2011-10-06
低噪聲 晶體管 瑞薩電子 ISM頻段
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TDK開發出可設置在IC芯片下方的超小型NTC熱敏電阻
近日消息，據外媒報道，根據PCB市調機構Prisamark預估，PCB市場需求去年達1.47兆元，2015年需求可望再締造另一個兆元規模，達2.02兆，其中傳統板的需求比重將超過載板、HDI板，盡管市場規模動輒以千億元單位計算，PCB廠多半選擇退出，無人擴產反而成為新藍海。
2011-10-06
PCB 半導體 通訊 HDI板
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多晶硅新合約明年擬觸35美元
兩岸太陽能市場近期傳出，國際太陽能多晶硅大廠已開始針對新產能，推出2012年的新多晶硅合約，部分新合約價原則上每公斤低于40美元，近期傳出2012年有機會達35美元，相較目前合約價平均50美元下降不少，但該價格似乎吸引力不足，下游太陽能業者表示，料源價格下滑走勢甚為明顯，不明白還有誰會再自...
2011-10-06
多晶硅 太陽能電池 發電量 多晶硅生產商
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壓控振蕩器在射頻通信電路中的應用
隨著通信技術的發展，通信設備所應用的頻率日益提高，射頻(RF)和微波(MW)電路在通信系統中得到了廣泛應用，高頻電路設計也得到工業界的特別關注，新型半導體器件制造技術的不斷發展更使得高速數字系統和高頻模擬系統的應用領域不斷擴展。
2011-10-06
壓控振蕩器 射頻 通信電路 高頻模擬系統
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RF電路中如何選擇LDO穩壓器PSRR和噪聲
LDO是一種微功耗的低壓差線性穩壓器，它具有極低的自有噪聲和較高的電源抑制比(PSRR)。SGM2007高性能低壓差線性穩壓器在10Hz至 100kHz頻率范圍內的輸出噪聲為30 μV(RMS)，在 1 kHz 的頻率下電源抑制比(PSRR)高達73dB，它能夠為諸如射頻（RF）接收器和發送器、壓控振蕩器（VCO）和音頻放大器等對噪聲...
2011-10-06
LDO穩壓器 PSRR 噪聲 RF電路
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2011年硅磁傳感器銷售額預計增長24%
據IHS iSuppli公司的MEMS與傳感器專題報告，汽車產業恢復生機，全球智能手機和平板電腦對于數字羅盤的需求上升，正在推動硅磁傳感器市場加速增長，預計2011年銷售額將上升23.7%。
2011-10-05
硅磁傳感器 傳感器 MEMS
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GSM/DCS雙頻段RF射頻前端設計
本文提出一種新穎的射頻功率放大器電路結構，使用一個射頻功率放大器實現GSM/DCS雙頻段功率放大功能，銳迪科的RDA6218就是采用這種結構。射頻功率放大器管芯由原來的兩個減少為一個，同時此結構射頻功率放大器及輸出匹配網絡與CMOS控制器、射頻開關集成至一個芯片模塊，組成 GSM/DCS雙頻段射頻前端...
2011-10-05
GSM/DCS RF射頻 射頻功率放大器 輸出匹配網絡
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