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英飛凌絕緣體上硅(SOI)高壓驅動芯片的三個優勢
現在的高功率變頻器和驅動器承載更大的負載電流。如下圖1 所示：由于功率回路里的寄生電感（主要由功率器件的封裝引線和PCB的走線產生的），電路中VS腳的電壓會從高壓母線電壓（S1通S2關時）變化到低于地的負壓（S1關閉時）。圖一右邊波形中的紅色部分就是VS腳在半橋感性負載電路中產生的瞬態負電壓。
2022-06-28
英飛凌 SOI 驅動芯片
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驅動器源極引腳的效果：雙脈沖測試比較
在上一篇文章中，我們通過工作原理和公式了解了有無驅動器源極引腳的差異和效果。有驅動器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來的影響，從而可降低開關損耗。在本文中，我們將通過雙脈沖測試來確認驅動器源極引腳的效果。
2022-06-24
驅動器 源極引腳 雙脈沖測試
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利用PMBus數字電源系統管理器進行電流檢測——第二部分
本文第二部分介紹如何測量高壓或負供電軌上的電流，以及如何為IMON檢測方法設置配置寄存器。本文闡述了測量電流的精度考慮因素，并提供了使用LTpowerPlay?進行器件編程的相關說明。在第一部分，我們介紹了電流檢測的基本概念，包括各種方法和電路拓撲。
2022-06-24
PMBus 數字電源系統 電流檢測
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消除ISO 26262功能安全認證過程中的各種障礙
現今，汽車的各種應用中無不使用數百到數千種半導體和其他組件，例如觸摸界面、車載充電器、電池管理系統等等。嚴格的國際標準化組織（ISO）26262功能安全規范可確保這些日益復雜和精密的應用安全運行。然而，開發合規設計及獲得認證的過程十分耗時且成本高昂。隨著半導體行業為汽車原始設備制造商...
2022-06-23
ISO 26262 Microchip 汽車應用
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基于功率電感飽和特性要求的電感設計與選型優化
分析了功率電感飽和特性產生的原因，并且提出一個假設模型解釋飽和特性與電感內部氣隙寬度之間的關系并且由此說明軟飽和特性和硬飽和特性的產生即由此關系決定。從電感的飽和特性出發通過建立內部設計的關鍵參數并由此得出最優化的設計選擇，通過設計示例反映不同的設計出發點下對應的性能指標差異...
2022-06-23
功率電感 飽和特性 選型
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安森美被納入標普500指數
領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，在美國時間6月21日開盤交易前被納入標普500?指數。安森美被納入該指數緊接著公司在2021年的財政年度收入達到有史以來最高的67.4億美元，同比增長28.3%，且最近還獲認定入榜《財富》美國500強。
2022-06-22
安森美 ADAS 替代能源
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DC-DC升壓穩壓器外圍元器件的選擇與優化
在便攜和可穿戴設備等電池供電的低電壓應用中，常有一些功能需要較高的電壓才能工作，例如射頻收發器、精密模擬電路、白光LED背光驅動、雪崩光電二極管(APD)的偏置電路等。這就需要采用DC-DC升壓轉換器來向上轉換到所需的電壓，讓設備既節能又高效的工作。
2022-06-21
DC-DC 升壓穩壓器 外圍元器件
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如何有效地比較CMOS開關和固態繼電器的性能
源極和漏極之間的關斷電容CDS(OFF)可用來衡量關斷開關后，源極信號耦合到漏極的能力。它是固態繼電器（如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器或MOSFET繼電器）中常見的規格參數，在固態繼電器數據手冊中通常稱為輸出電容COUT。CMOS開關通常不包含此規格參數，但關斷隔離度是表征相同現象的另一種方法，關...
2022-06-20
CMOS開關 固態繼電器
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功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
IGBT主要用于電機驅動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現。
2022-06-17
功率半導體 IGBT 損耗
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