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分析：稱重傳感器技術(shù)發(fā)展動(dòng)向
稱重傳感器技術(shù)的發(fā)展國際上主要有兩種發(fā)展途徑：以美國為代表的先軍工后民用，先提高后普及的途徑和以日本為代表的實(shí)用化商品化，先普及后提高的途徑。我國應(yīng)屬于后者，盡管軍工部門研究應(yīng)用較早，但快速發(fā)展和普及還是在近20年,急需提高我國稱重傳感器的總體技術(shù)、工藝和質(zhì)量水平。
2009-12-22
稱重傳感器 工藝 技術(shù)
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微電子產(chǎn)業(yè)亟待國家政策扶持
無論哥本哈根聯(lián)合國氣候變化大會(huì)最終有怎樣的結(jié)果，這樣一個(gè)能將全球近200個(gè)國家和地區(qū)的上萬名代表聚攏到談判桌前的會(huì)議讓我們看到：控制碳排放，延緩甚至改變氣候變暖是大勢(shì)所趨。控制碳排放議題既屬責(zé)任范疇，也孕育著商業(yè)機(jī)會(huì)。
2009-12-22
低碳經(jīng)濟(jì) 微電子 光電子 新能源
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微電機(jī)產(chǎn)業(yè)整合時(shí)機(jī)到來
中國電器工業(yè)協(xié)會(huì)微電機(jī)分會(huì)近日發(fā)布了微電機(jī)行業(yè)去年的經(jīng)濟(jì)數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)顯示，該行業(yè)工業(yè)總產(chǎn)值、銷售收入、利潤(rùn)總額等指標(biāo)均保持了較大幅度增長(zhǎng)，目前我國已成為全球最大微電機(jī)制造基地。
2009-12-22
微電機(jī) 整合 制造基地 市場(chǎng)規(guī)模 擴(kuò)大
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AMK105BJ474MC ：太陽誘電推出1005型多層陶瓷電容器
太陽誘電株式會(huì)社宣布，1005型·厚度0.22mm的多層陶瓷電容器AMK105BJ474MC(1.00 x 0.50 x0.22mm，厚度是最大值)投入生產(chǎn)，該產(chǎn)品適用于手機(jī)等小型、輕薄便攜設(shè)備IC 的電源電路，可實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高靜電容量0.47μF。
2009-12-22
太陽誘電 多層陶瓷 電容器 輕薄
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Gartner：硅晶圓市場(chǎng)將復(fù)蘇 2010年增長(zhǎng)23%
市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)Gartner表示，09年第三季度，全球?qū)杈A需求環(huán)比增長(zhǎng)17% ，2009年對(duì)全球硅晶圓需求整體下滑幅度好于之前預(yù)期。但預(yù)計(jì)2010年第二季度會(huì)開始恢復(fù)穩(wěn)步增長(zhǎng)，硅晶圓年度增長(zhǎng)率將為23.4%。
2009-12-21
硅晶圓 Gartner 復(fù)蘇
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能源革命為微電子產(chǎn)業(yè)提供新機(jī)遇
在過去10年中，中國的GDP與能耗基本上是同比例增加的。從單位GDP(國內(nèi)生產(chǎn)總值)的能耗來看，根據(jù)國家統(tǒng)計(jì)局提供的數(shù)據(jù)，當(dāng)前中國1億美元GDP所消耗的能源是12.03萬噸標(biāo)準(zhǔn)煤，大約是日本的7.2倍，是德國的5.62倍，是美國的3.52倍，是印度的1.18倍，是世界平均水平的3.28倍。中國的GDP要趕超美國，如果...
2009-12-21
能源革命 微電子 新機(jī)遇 GDP 低能耗
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Sistema稱正與俄羅斯政府?dāng)偱院匣锸召徲w凌
12月15日消息，俄羅斯Sistema公司總裁今日表示，公司正在就俄羅斯政府可能收購英飛凌股份一事中成為俄方合作伙伴之一進(jìn)行談判。英飛凌是德國最大的芯片制造商。
2009-12-21
英飛凌 芯片制造 Sistema 收購
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第一講 中國新型顯示技術(shù)分析及發(fā)展概述
本節(jié)主要講顯示技術(shù)的前世今生。
2009-12-21
顯示 歷史 發(fā)展 TFT LCD
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工信部明確環(huán)保使用期限，控制電子產(chǎn)品污染
日前，為了幫助廣大電子信息產(chǎn)品制造企業(yè)確定所生產(chǎn)產(chǎn)品的環(huán)保使用期限，工業(yè)和信息化部發(fā)布了《電子信息產(chǎn)品環(huán)保使用期限通則》(簡(jiǎn)稱《通則》)。
2009-12-18
工信部 電子產(chǎn)品污染 環(huán)保
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