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功率半導體：強化設計能力 尋求中高端突破
功率半導體包括功率二極管、功率開關器件與功率集成電路。近年來，隨著功率MOS(金屬氧化物半導體)技術的迅速發展，功率半導體的應用范圍已從傳統的工業控制領域擴展到4C領域(計算機、通信、消費類電子產品和汽車電子)，滲透到國民經濟與國防建設的各個方面。我國擁有國際上最大的功率半導體市場，擁...
2009-12-25
功率器件 開關 功率二極管 高端
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GP2AP012A00F:夏普開發出集成有可檢測0.1lx低照度的照度傳感器
夏普將上市集成了照度傳感器的新款近接傳感器“GP2AP012A00F”。主要特點是可檢測0.1lx的低照度，外形尺寸僅為4.4mm×2.6mm×1.0mm。該公司此前產品可檢測的照度為3lx，外形尺寸為5.6mm×2.1mm×1.2mm。
2009-12-25
夏普 集成 低照度 照度傳感器
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電磁兼容實驗室需要的儀器
產品必須符合EMC("電磁兼容)要求，歐洲規定：銷售違反電磁兼容法令(89/336/EEC)的產品將面臨高額罰款，因此，商家越來越重視產品的電磁兼容性問題，為了降低成本，要根據公司需求和規模的不同，組建一個EMC實驗室，本文介紹建設公司內部EMC測試設備的優點、缺點和方法。
2009-12-25
電磁兼容 測試儀器 EMC
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Si85xx：Silicon Labs推出下一代交流電流傳感器系列
高性能模擬與混合信號IC領導廠商Silicon Laboratories今日推出下一代交流電流傳感器系列，可取代傳統的電流變壓器。
2009-12-24
Si85xx Silicon 交流電流傳感器 變壓器
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傳感器儀表元器件發展分析
傳感器和儀表元器件是儀器儀表與自動化系統最基礎元器件之一。傳感器和儀表元器件具有服務面廣、品種繁多、需求量大等特點，其技術水平和產品質量的提高，將為我國制造業信息化奠定基礎。
2009-12-24
傳感器 儀表 元器件 MEMS
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2009年歲末電子產業數據回顧與2010年展望
2008年下半年，國際金融風暴席卷全球，以出口為主導的中國大陸電子信息產業直接受到沖擊，產品進出口受阻，導致產品產量不斷下降，到今年元月份下降到谷底。由于中國政府及時實行積極的財政政策，調整產品結構，努力擴大內需，電子信息產業從2月份開始逐漸回升。雖然在個別月份有所波動，但回升趨勢...
2009-12-24
電子產業 數據 回顧 展望
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IR11672A：IR為節能AC-DC電源轉換器設計智能型整流器
國際整流器公司 (簡稱IR) 推出IR11672A SmartRectifier IC。新器件為節能AC-DC電源轉換器設計，擁有先進的最小導通時間 (MOT)保護電路，適用于筆記本型電腦、LCD和PDP電視、游戲機，以及服務器和通信開關電源 (SMPS) 。
2009-12-24
IR IR11672A AC-DC 電源轉換器 整流器
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Toshiba-components推出低導通電阻 快速轉換的30V MOSFET
新產品包括5個N溝道MOSFET和1個MOSBD，MOSBD的單芯片組合了MOSFET和肖特基阻擋二極管，提供了低電感結構，因此提高了能源效率。該產品提供了一系列的特性，使設計人員能夠滿足不同的系統要求。額定電流范圍為13A~26A，RDS(ON) (典型值)為4.3~12.2毫歐(mΩ)，輸入電容從999~2200微微法（pF）（典型值...
2009-12-24
東芝 低導通電阻 快速轉換 MOSFET
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Gartner：全球半導體設備將增長45%
據國外媒體報道，Gartner研究副總Dean Freeman指出，晶圓代工支出與少數內存廠商的選擇性支出，帶動了2009下半年半導體設備市場的增長，2010年的增長主要將由上半年技術升級的帶動，2010年第3季單季增長率在產能增加前將微幅下滑，整體資本設備產業預期自2010年底起將一路大幅增長至2011年。
2009-12-24
Gartner 全球 半導體 增長
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