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安森美SiC技術賦能AI數據中心，助力高能效電源方案
緊跟人工智能的算力步伐，全球數據中心正面臨前所未有的能耗挑戰。面對大模型訓練、實時推理等場景帶來的指數級能耗增長，全球領先的智能電源與感知技術供應商安森美（onsemi）正式推出《AI數據中心系統方案指南》，首次系統性展示其基于尖端碳化硅（SiC）技術的全鏈路電源解決方案，為下一代超算中...
2025-06-25
安森美 碳化硅 數據中心電源 AI服務器供電方案 SiC技術 數據中心能效提升 系統方案指南
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芯耀蓉城！西部電博會半導體專區全產業鏈集結
2025年7月9日至11日，第十三屆中國（西部）電子信息博覽會將于成都世紀城新國際會展中心8、9號館盛大啟幕！本屆展會匯聚500余家行業領軍企業、30余個專業買家團，預計吸引2萬名觀眾共襄盛舉。展會同期舉辦多場高端論壇、技術賽事及供需對接活動，其中半導體專區將集中展示產業鏈前沿成果，成為行業...
2025-06-25
2025西部電博會 半導體專區 成都電子信息博覽會 西部半導體展會 功率半導體展會
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破局電動車續航！羅姆第4代SiC MOSFET驅動助力豐田bZ5性能躍遷
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。
2025-06-24
羅姆 豐田bZ5 電驅技術 第四代SiC MOSFET 車規級碳化硅模塊 電動車牽引逆變器
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馴服電源幽靈：為敏感器件打造超低噪聲供電方案
在射頻通信、精密測量、高分辨率數據采集等尖端領域，毫伏級的電源噪聲都可能成為性能的致命殺手。鎖相環（PLL）的相位噪聲惡化、壓控振蕩器（VCO）的輸出頻率漂移、高分辨率模數轉換器（ADC）的有效位數（ENOB）下降——這些敏感電路的卓越性能，無一不建立在超低噪聲、超高純凈度的電源基礎之上。本...
2025-06-24
超低噪聲電源設計 射頻電源解決方案 μV級電源噪聲 低噪聲LDO 低噪聲電源模塊
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羅姆助力英偉達800V HVDC重塑AI數據中心能源架構
隨著人工智能算力需求爆發性增長的浪潮下，支撐其運行的底層能源架構正經歷顛覆性升級。羅姆（ROHM） 以其先進的功率半導體技術，成為英偉達（NVIDIA） 全新800V高壓直流（HVDC）數據中心供電架構的核心方案提供者。這一合作聚焦于提升兆瓦級AI工廠的能量轉換效率與功率密度，為下一代超大規模計算...
2025-06-23
羅姆 英偉達 800V HVDC NVIDIA 800V 電源方案 AI數據中心電源
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攻克次諧波振蕩：CCM反激斜坡補償的功率分級指南
在CCM反激式轉換器設計中，峰值電流模式控制（Peak Current Mode Control）因其優異的輸入電壓抑制能力、固有的逐周期限流保護和相對簡化的環路補償而備受青睞。然而，當占空比超過50%時，系統會出現固有的次諧波振蕩不穩定性問題。斜坡補償技術正是攻克這一難題的核心手段，其設計策略需隨功率等級...
2025-06-23
CCM反激 斜坡補償 反激轉換器 次諧波振蕩 斜坡補償設計
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如何設計高性能CCM反激式轉換器？中等功率隔離應用解析
在當今追求高效節能的電子設備領域，隔離式DC-DC電源轉換器扮演著關鍵角色。面對50W至250W的中等功率應用需求——從工業控制模塊、網絡通信設備到醫療儀器輔助電源——工程師們亟需兼顧效率、體積與成本的解決方案。連續導通模式（CCM）反激式轉換器憑借其獨特優勢，正成為這一功率段隔離電源設計的首選...
2025-06-23
CCM反激轉換器設計 連續導通模式反激電源 反激電源設計指南 隔離電源方案
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