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用SiC FET固態斷路器取代機械斷路器可行嗎？
機械斷路器損耗低，但是速度慢而且會磨損。采用SiC FET的固態斷路器可以解決這些問題且其損耗開始降低。
2022-03-06
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基于CoolSiC的高速高性能燃料電池空壓機設計
燃料電池用空壓機開關頻率高，空間有限，集成度高，采用單管設計的主要挑戰是如何提高散熱效率。本設計中功率器件和散熱器采用DBC+焊接工藝，提高了SiC MOSFET的輸出電流能力，從而有效降低了系統成本的，并且簡化安裝方式。
2022-03-03
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【微控制器基礎】——從歷史切入，了解微控制器的五個要素（上）
要說起微控制器的歷史，就不得不提起距今51年前的1971年，那時，美國英特爾公司開發了第一款名為i4004d的4位微控制器。它由一家日本BUSICOM公司訂購，并用于其計算器設計。后來因為合同變更，它成功地作為通用微控制器正式出售。隨后英特爾又開發了“i8008”、“i8080A”和“i8085”等8位微控制器，繼這之后，英特爾公司又開發了16位微控制器“8086”，自此微控制器開啟了多樣化發展之路。
2022-03-02
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英飛凌650V混合SiC IGBT單管助力戶用光伏逆變器提頻增效
戶用光伏每年裝機都在高速增長，單相光伏逆變器功率范圍基本在3~10kW，系統電路示意框圖如圖1所示，從光伏電池板經過逆變器中DC/DC，DC/AC電路實現綠電的能量轉換，英飛凌能提供一站式半導體解決方案包括650V功率器件、無核變壓器CT技術驅動IC、主控制MCU和電源管理芯片等。
2022-03-01
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貿澤贊助的Vasser Sullivan Lexus車隊在IMSA本賽季開幕戰中表現出色
2022年2月28日 – 專注于推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿澤電子 (Mouser Electronics) 祝賀Vasser Sullivan Lexus車隊在代托納（佛羅里達）國際賽道舉辦的2022年IMSA WeatherTech跑車錦標賽開幕戰中取得佳績。
2022-02-28
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面向電源電路的MLCC解決方案
在車載領域，車載ADAS ECU和自動駕駛ECU等需要高級圖像處理系統的CPU和FPGA，隨著系統的高性能化和高功能化，需要高速運行和大電流驅動。另外，在ICT領域，服務器等需要大功率的成套設備則需要可支持大電流的電源配置。如上所述的高性能、高功能化系統的電源線就有著高速動作、大電流化的傾向。同時，需要使用因處理器小型化而降低的公稱電壓保持在較窄的容許范圍內的電源配置。
2022-02-28
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4通道QFN封裝射頻GaAs 多功能MMIC
用于為Ku波段衛星移動通信有源相控陣天線被用于接收和發射MMIC多功能芯片使用開發0.25 微米的p HEMT的商業方法。多功能芯片由4通道分合路組成，每個通道提供多種功能，例如6位數字相移功能，5位數字衰減功能和信號放大功能。將MMIC多功能芯片組裝在尺寸為7 mm×7 mm的商用QFN封裝中后，對其進行測量，該芯片的尺寸為27 mm^2（5.2 mm×5.2 mm）。
2022-02-28
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10萬平米、9大展區！CITE2022展區設置圖來了
第十屆中國電子信息博覽會（CITE2022）展示面積達100,000平米，展示領域緊跟行業重點，并根據行業實時熱點融入新的展示領域，涵蓋智慧家庭、智能終端、5G、人工智能、物聯網、第三代功率半導體、IC設計、超高清視頻、3D玻璃蓋板、半導體顯示屏、AR/VR、AI+數字孿生、機器人、消費電子、大數據與存儲、車聯網、自動駕駛、傳感器、跨境生態、燃料電池、充電技術、工業互聯網、信息技術應用創新產、基礎元器件、特種元器件等熱門話題。
2022-02-24
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Silicon Labs CTO：Matter標準將加速推進智能家居和物聯網應用
經歷了2021的全球缺芯潮，我們迎來了2022 年，今年，世衛組織認為新冠疫情會得到控制，隨著疫情影響減弱，以及AIOT、智慧家居市場、老年健康市場走熱，半導體產業會有哪些新的變化？電子創新網采訪數十位半導體高管，并以"行業領袖看2022”系列問答形式向業界傳達知名半導體眼中的2022 ，這是該系列第五篇報道---來自Silicon Labs首席技術官Daniel Cooley的答復。
2022-02-18
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Digi-Key 宣布與 SPARK Microsystems 達成全球分銷協議
全球供應品類極豐富、發貨超快速的現貨電子元器件分銷商Digi-Key Electronics，日前宣布與SPARK Microsystems達成全球分銷協議，為高性能個人局域網和物聯網連接設備提供超低功耗無線通信器件。
2022-02-17
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集成驅動器！原來，GaN電源系統性能升級的奧秘在這里~
如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導體技術風頭正勁。與傳統的半導體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導電率大、介電常數小、抗輻射能力強……因此可實現更高的功率密度、更高的電壓驅動能力、更快的開關頻率、更高的效率、更佳的熱性能、更小的尺寸，在高溫、高頻、高功率、高輻射等功率電子應用領域，不斷在向傳統的硅基IGBT和MOSFET器件發起強勁的沖擊。
2022-02-17
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SiC MOSFET模塊的硬并聯
以對稱的布板設計來實現4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯，給出了實際的測量結果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應用在并聯場合下的溫度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并聯使用的可行性。
2022-02-17
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