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Vishay新增超高容量液鉭電容器，75V下容量達1000 μF
Vishay日前宣布推出采用特殊密封的新型超高容量系列液鉭電容器---T18系列。新型液鉭電容器適用于航空和航天應用，采用D外形尺寸，在75V下的容量高達1000 μF。
2013-07-20
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Vishay攜最新半導體和無源元件出展
日前，Vishay 宣布，將展出其最新的半導體和無源元件，展示其在各個產品線上所取得的業界領先的創新技術，幫助各種應用提高效率和可靠性。展品包括LED驅動、二極管、最新電容器、電阻和電感器等。
2013-07-05
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Vishay將在2013中國電子展成都站展示最新業界領先技術
Vishay將在6月20至22日成都世紀城新國際會展中心舉行的2013中國電子展成都站（夏季會）上展出其全線技術方案。Vishay的展位在3號館A214，展示亮點是其最新的業界領先的創新產品，包括無源元件、二極管、功率MOSFET、功率IC和光電子產品。
2013-06-18
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Vishay新型單相橋式整流器 反向電壓可達1000V
日前，Vishay推出四款單相橋式整流器MBL104S、MBL106S、MBL108S和MBL110S，反向電壓可達1000V，能夠承受最高30A浪涌電流。該器件采用薄型MBLS封裝，十分適用于智能手機充電器的AC/DC全波整流。
2013-05-10
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Vishay推出滿足航空、航天需求的T16系列液鉭電容器
近日，Vishay宣布，其采用glass-to-tantalum密封條的T16系列液鉭電容器現可供貨，有A、B、C和D四種外形代碼。對于航空和航天應用，這些加固過的器件具有更好的耐振動（正弦周期振動：50g；隨機振動：27.7g）能力。
2013-05-09
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Vishay推出低至20m?導通電阻的P溝道高邊負載開關
近日，Vishay推出可在1.5V～5.5V電壓下工作的新款上升斜率控制的P溝道高邊負載開關---SiP32458和SiP32459，在3.3V和5V下的導通電阻為20m?，將4.5V下的導通電壓上升斜率控制在3ms，限制使用容性或噪聲敏感負載的設計方案的涌入電流。
2013-05-06
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Vishay新款功率MOSFET導通電阻比前一代器件低45%
Vishay Siliconix 新型N溝道TrenchFET功率MOSFET——SiR872ADP，電壓擴大至150V，為DC/DC應用提供18mΩ導通電阻，適用于DC/DC轉換器、DC/AC逆變器，以及通信磚式電源、太陽能微逆變器和無刷直流電機的升壓轉換器中的初級側和次級側的同步整流。
2013-04-24
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具有2W的高功率0.001Ω低阻值0.5%容差的電阻產品
日前，Vishay宣布，推出2010外形尺寸的新款表面貼裝Power Metal Strip電阻---WSLP2010。該電阻具有2W的高功率等級和0.001Ω的極低阻值，以及0.5%的穩定電阻容差。
2013-01-28
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非常適合OLED顯示器的0.8mm低外形0805鉭電容
Vishay推出新款MICROTAN片式鉭電容器，新器件0.8mm至1.0mm高度及外形尺寸可用于空間受限的消費電子產品，具有3.3μF-35V～220μF-4V的高CV等級。
2013-01-23
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具有3KW抗浪涌能力的汽車級SMT雙向TVS
Vishay新款表面貼裝TRANSZORB雙向TVS具有3kW的高浪涌能力，該器件采用SMC DO-214AB封裝，浪涌能力是傳統1.5kW器件的兩倍，可保護敏感的電子設備免遭由系統感性負載切換和閃電所引入的電壓瞬態的破壞。
2013-01-16
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新款表面貼裝TVS：比傳統器件浪涌能力高233%
Vishay的新款表面貼裝PAR TVS器件具有5kW的高浪涌能力，該器件采用DO-214AB封裝和+185℃的工作結溫，比采用SMC封裝的傳統1.5kW器件的浪涌能力高233%,該系列器件可用于汽車和電信應用。
2013-01-14
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經AEC-Q101認證的40V N溝道功率MOSFET
近日，Vishay推出采用7腳D2PAK封裝的新款Siliconix 40V N溝道TrenchFET功率MOSFET，該產品通過AEC-Q101認證并具有1.1mΩ的低導通電阻和200A的連續漏極電流。
2013-01-10
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