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談談SiC MOSFET的短路能力
在電力電子的很多應用，如電機驅動，有時會出現短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數據手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時間是10us，IGBT7短路時間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒 有 標 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱短路時間是3us，EASY封裝器件標稱短路時間是2us。
2024-02-01
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門極驅動正壓對功率半導體性能的影響
無論是MOSFET還是IGBT，都是受門極控制的器件。在相同電流的條件下，一般門極電壓用得越高，導通損耗越小。因為門極電壓越高意味著溝道反型層強度越強，由門極電壓而產生的溝道阻抗越小，流過相同電流的壓降就越低。不過器件導通損耗除了受這個門極溝道影響外，還和芯片的厚度有很大的關系，一般越薄的導通損耗越小，所以同等芯片面積下寬禁帶的器件導通損耗要小得多。而相同材料下耐壓越高的器件就會越厚，導通損耗就會變大。這種由芯片厚度引起的導通損耗不受門極電壓影響，所以器件耐壓越高，門極電壓即使進一步增大對導通損耗貢獻是有限的。
2024-01-29
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I-NPC三電平電路的雙脈沖及短路測試方法
雙脈沖測試(DPT)是一種被廣泛接受的評估功率器件動態特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應用為例，如下圖，通過調節直流母線電壓和第一個脈沖持續時間，可以在第一個脈沖結束和第二個脈沖開始時捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關瞬態行為。DPT結果量化了功率器件的開關性能，并為功率變換器的設計（如開關頻率和死區時間的確定、熱管理和效率評估）提供了參考依據，那么對于三電平電路，雙脈沖測試需要怎么做呢？
2024-01-24
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高隔離DC/DC轉換器提升電機運作的穩定性與安全性
在電機應用中，必須采用逆變器或轉換器進行電源轉換，采用高隔離DC/DC轉換器，將有助于提升電機運作的穩定性與安全性，這對高功率、高速電機系統尤為重要。本文將為您介紹IGBT/MOSFET/SiC/GaN柵極驅動DC-DC轉換器的相關技術，以及由Murata（村田制作所）所推出的一系列高隔離DC/DC轉換器的功能特性。
2024-01-19
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超結MOS/IGBT在儲能變流器(PCS)上的應用
儲能變流器，又稱雙向儲能逆變器，英文名PCS(Power Conversion System)，是儲能系統與電網中間實現電能雙向流動的核心部件，用作控制電池的充電和放電過程，進行交直流的變換。
2024-01-09
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超高壓MOS在變頻器上的應用
典型的AC380V變頻器應用框圖，主要包括輸入AC380V三相整流、三相逆變IGBT功率驅動、輔助電源等部分；其中輔助電源主要經過DC高壓降壓后為IGBT驅動IC、主控mcu、通訊模塊芯片等供電。
2024-01-02
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SiC MOSFET用于電機驅動的優勢
低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V系統，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創了新的機會。
2023-12-20
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泰克助力汽車測試及質量監控實現效率和創新最大化
對于功率器件工程師而言，最大限度降低開關損耗是一項嚴峻挑戰，尤其對于那些使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的工程師更是如此。這種先進材料有望提高效率，但也有其自身的復雜性。測量硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵金屬氧化物半導體場效應晶體管 (GaN MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的開關參數，并評估其動態行為的標準方法是雙脈沖測試 (DPT)。
2023-12-05
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如何優化SiC柵級驅動電路？
對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關，同時開關頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開關頻率。之前的文章中，我們介紹了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天將帶來本系列文章的第二部分SiC柵極驅動電路的關鍵要求和NCP51705 SiC 柵極驅動器的基本功能。
2023-11-29
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商業、建筑和農業車輛應用中TO-247PLUS分立封裝的回流焊接
今天，功率半導體為很多應用提供高功率密度的解決方案。如何將功率器件的發熱充分散出去是解決高功率密度設計的關鍵。通過使用IGBT焊接在雙面覆銅陶瓷板(DCB)上可以幫助減少散熱系統的熱阻，前提是需要IGBT單管封裝支持SMD工藝。本文將展示一種可回流焊接的TO-247PLUS單管封裝，該封裝可將器件芯片到DCB基板的熱阻降至最低。
2023-11-21
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SiC MOSFET 器件特性知多少？
對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關，同時開關頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開關頻率。
2023-11-12
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能實現更高的電流密度和系統可靠性的IGBT模塊
隨著全球對可再生能源的日益關注以及對效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產業不斷前行的關鍵。Nexperia（安世半導體）的 IGBT 產品系列優化了開關損耗和導通損耗, 兼顧馬達驅動需求的高溫短路耐受能力，實現更高的電流密度和系統可靠性。
2023-11-12
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