-
Si7633DP/135DP：Vishay最新低導通電阻MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。
2008-12-24
-
VLMW84：Vishay超薄SMD LED系列
日前，Vishay推出業(yè)界首個采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且基于藍寶石 InGaN/TAG 技術的高強度白光功率 SMD LED 系列 --- VLMW84…。該系列器件可降低高容量應用的成本，它們具有 25K/W 的低熱阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率。
2008-12-22
-
Vishay提供計算IHLP電感開關損失的在線工具
Vishay目前在其網(wǎng)站上提供了計算 IHLP? 電感器開關損失的基于 Web 的免費工具。這種易于使用的開關損失計算器可針對各個單獨應用進行定制，從而使設計人員能夠選擇正確的部件以優(yōu)化板設計，同時加速產(chǎn)品上市時間。該開關損失計算器可用于降壓、升壓及降壓/升壓直流到直流轉換器拓撲結構。
2008-12-18
-
IHLP-2020CZ-11：Vishay最新薄型、高電流電感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出采用 2020 封裝尺寸的新型IHLP薄型、高電流電感器 --- IHLP-2020CZ-11。這款小型 IHLP-2020CZ-11 器件具有 3.0mm 的超薄厚度、寬泛的電感范圍及低 DCR。
2008-12-18
-
VBUS052CD-FAH/4CD-FHI：Vishay新型ESD保護陣列
日前，Vishay推出兩款具有低電容及漏電流的最新小型ESD 保護陣列--- 2 線路的 VBUS052CD-FAH 和 4 線路的 VBUS054CD-FHI，這些器件可保護高速數(shù)據(jù)線，以防止瞬態(tài)電壓信號。
2008-12-16
-
SiB800EDK：Vishay新款超小MOSFET＋SBD器件
日前，Vishay宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強型 PowerPAK SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其在 100 mA 時具有 0.32V 低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至 1.5V 柵極驅動時規(guī)定的額定導通電阻的 MOSFET 進行了完美結合。
2008-12-15
-
SiP4613A/B ：Vishay新型高端負載開關器件
日前，Vishay推出一款新型有保護的高端負載開關-- SiP4613A/B。隨著該型器件的面世，Vishay進一步擴充了其電流限制保護負載開關系列。該器件可在 2.4V～5.5V 的電源電壓范圍內(nèi)運行，并可處理 1A 的持續(xù)輸出電流。
2008-12-11
-
EKX系列：Vishay最新高性能鋁電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新系列徑向鋁電容器--- EKX系列器件，這些器件可實現(xiàn) +105°C 的高溫運行，且具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。
2008-12-08
-
Vishay推出采用TurboFET技術第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術，利用新電荷平衡漏結構將柵極電荷降低多達 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
-
VSMF4720：Vishay新型SMD PLCC2封裝高功率紅外發(fā)射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出采用 PLCC2 封裝的新型 870nm SMD 紅外發(fā)射器，拓寬其光電子產(chǎn)品系列。該器件具有業(yè)界最低的正向電壓及最高的輻射強度。
2008-11-25
-
VBUS053AZ-HAF：Vishay新型USB-OTG總線端口保護陣列
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新型超薄 ESD 保護陣列，該器件具有低電容和漏電流，可保護 USB-OTG 端口免受瞬態(tài)電壓信號損壞。新器件在工作電壓為 5.5V 時提供三線 USB ESD 保護，在工作電壓為 12V 時提供單線 VBUS 保護。
2008-11-20
-
SiR440DP/SiR866DP/SiR890DP：Vishay新型第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出一款新型 20V n 通道器件，擴展了其第三代 TrenchFET功率MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時具有業(yè)界最低導通電阻及導通電阻與柵極電荷乘積。
2008-11-20
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行！氮矽科技發(fā)布集成驅動GaN芯片，助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%！力芯微推出超低內(nèi)阻、超低失真4PST模擬開關
- 一“芯”雙電！圣邦微電子發(fā)布雙輸出電源芯片，簡化AFE與音頻設計
- 一機適配萬端：金升陽推出1200W可編程電源，賦能高端裝備制造
- 1200余家企業(yè)齊聚深圳，CITE2026打造電子信息產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新盛宴
- 掌握 Gemini 3.1 Pro 參數(shù)調優(yōu)的藝術
- 筑牢安全防線：電池擠壓試驗機如何為新能源產(chǎn)業(yè)護航？
- Grok 4.1 API 實戰(zhàn)：構建 X 平臺實時輿情監(jiān)控 Agent
- 電源芯片國產(chǎn)化新選擇：MUN3CAD03-SF助力物聯(lián)網(wǎng)終端“芯”升級
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
