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意法半導(dǎo)體公布2024年第四季度及全年財報
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 公布了按照美國通用會計準(zhǔn)則 (U.S. GAAP) 編制的截至2024年12月31日的第四季度財報。此外，本新聞稿還包含非美國通用會計準(zhǔn)則的財務(wù)數(shù)據(jù) (詳情參閱附錄)。
2025-02-07
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MD&M West展會：Micro Crystal攜創(chuàng)新定時元件，共繪醫(yī)療科技新藍(lán)圖
在醫(yī)療科技日新月異的今天，每一次創(chuàng)新都可能引領(lǐng)行業(yè)的未來。2025 年 2 月 4 日至 6 日，美國加州阿納海姆將迎來第 40 屆 MD&M West 醫(yī)療展會，這場匯聚全球醫(yī)療技術(shù)精英的盛會，正是 Micro Crystal 瑞士微晶展示其技術(shù)實力與行業(yè)承諾的舞臺。
2025-02-06
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解鎖AI設(shè)計潛能，ASO.ai如何革新模擬IC設(shè)計
在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時代，半導(dǎo)體行業(yè)作為眾多前沿技術(shù)的基石，正面臨著前所未有的機遇與挑戰(zhàn)。隨著電子系統(tǒng)越來越復(fù)雜，芯片電路設(shè)計也變得更為復(fù)雜，這導(dǎo)致了更長的設(shè)計周期、更高的開發(fā)成本以及更大的錯誤風(fēng)險。
2025-02-01
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貿(mào)澤電子新品推薦：2024年第四季度推出超過10,000個新物料
致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)，首要任務(wù)是提供來自1,200多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計出先進(jìn)產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤旨在為客戶提供全面認(rèn)證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2025-01-29
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使用MSO 5/6內(nèi)置AWG進(jìn)行功率半導(dǎo)體器件的雙脈沖測試
SiC器件的快速開關(guān)特性包括高頻率，要求測量信號的精度至少達(dá)到100MHz或更高帶寬 (BW)，這需要使用額定500MHz或更高頻率的示波器和探頭。在本文中，寬禁帶功率器件供應(yīng)商Qorvo與Tektronix合作，基于實際的SiC被測器件 (DUT)，描述了實用的解決方案。
2025-01-26
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MOS管在開關(guān)電源中的核心作用及其關(guān)鍵性能參數(shù)對設(shè)計的影響
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSFET)是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的元器件之一，在開關(guān)電源設(shè)計中扮演著至關(guān)重要的角色。開關(guān)電源作為現(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換和管理的核心組件，其性能與效率在很大程度上依賴于MOS管的選擇與應(yīng)用。本文將深入探討MOS管在開關(guān)電源中的具體作用，并剖析其關(guān)鍵性能參數(shù)對電源整體性能的影響。
2025-01-25
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j－top)獲取結(jié)溫信息
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-24
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意法半導(dǎo)體榮膺 2025 年全球杰出雇主認(rèn)證
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 首次被Top Employers Institute評選為2025年全球杰出雇主。
2025-01-24
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第14講：工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
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基于 SiC 的三相電機驅(qū)動開發(fā)和驗證套件
工業(yè)電機驅(qū)動器涵蓋廣泛的應(yīng)用，從低壓工業(yè)驅(qū)動器（例如風(fēng)扇、泵和傳送帶、熱泵和空調(diào)）以及伺服驅(qū)動器。據(jù)估計，這些通常由交流電源驅(qū)動的電動機占工業(yè)用電量的 70-80%。因此，人們有強烈的動機來提高這些驅(qū)動器的效率。即使該參數(shù)的微小改進(jìn)也能在節(jié)省能源和成本方面產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。國際電化學(xué)委員會 (IEC) 為電機和集成電機驅(qū)動器制定了各種效率標(biāo)準(zhǔn)。例如，現(xiàn)在主要國家都要求采用IE3標(biāo)準(zhǔn)。在歐盟，額定輸出功率在 75 kW 至 200 kW 之間的電機需要符合 IE4 標(biāo)準(zhǔn)。
2025-01-21
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貿(mào)澤與TE Connectivity 和Microchip Technology聯(lián)手推出聚焦汽車Zonal架構(gòu)的電子書
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與全球連接器和傳感器知名制造商TE Connectivity以及Microchip Technology合作推出全新電子書，深入探討Zonal架構(gòu)如何幫助設(shè)計師跟上汽車系統(tǒng)日益復(fù)雜化的步伐，以及它如何從根本上改變車輛構(gòu)造。
2025-01-17
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用第三代 SiC MOSFET設(shè)計電源性能和能效表現(xiàn)驚人！
在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域，例如工業(yè)電機驅(qū)動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴(yán)苛，已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構(gòu)應(yīng)運而生。
2025-01-17
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