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Vishay發布采用SurfLight表面發射器技術的850nm紅外發射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款采用該公司的SurfLight表面發射器技術制造的850nm紅外(IR)發射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01，擴大其光電子產品組合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star?封裝，占位為6.0mm x 7.0mm x1.5mm，具有超群的高驅動電流、發光強度和光功率，同時具有低熱阻系數。
2011-11-11
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VBUS54ED-FBL：Vishay推出超小尺寸4線總線端口保護陣列用于便攜產品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用新型超小尺寸LLP2510封裝的新款4線ESD保護陣列---VBUS54ED-FBL。VBUS54ED-FBL的占位面積只有2.5mmx1.0mm，高度低至0.55mm，其低電容和低泄漏電流的特性可以保護高速信號線免受瞬態電壓信號的損害。
2011-11-08
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P13L：Vishay發布壽命長達2百萬次、適用于極端環境的新款面板式電位計
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款金屬陶瓷面板式電位計---Sfernice P13L，這種電位計的壽命長達2百萬次，全IP67密封使其能夠在極端的環境條件下可靠工作。
2011-11-07
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Vishay Siliconix推出通過JAN認證的軍用級N溝道功率MOSFET
Vishay Siliconix推出通過JAN認證的軍用級N溝道功率MOSFET采用密封TO-205AD封裝的軍用級器件具有低導通電阻和快速開關性能。
2011-11-02
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VLMx233..系列：Vishay推出超小SMD封裝的功率型Mini LED用于汽車
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一系列采用超小2.3mm x 1.3mm x 1.4mm SMD封裝的功率型Mini LED---VLMx233..系列。該系列器件具有大紅、紅色、琥珀色、淺桔色和黃色等幾種顏色，采用最先進的AllnGaP技術，使光輸出增加了3倍，并通過針對汽車應用AEC-Q101標準認證。
2011-10-28
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Vishay推出CNY64ST和CNY65ST高壓隔離光耦
Vishay 宣布，推出業界首款采用表面貼裝封裝的CAT IV高壓隔離光耦---CNY64ST和CNY65ST，擴充其光電子產品組合。CNY64ST和CNY65ST系列產品通過了國際安全監管機構VDE的認證，具有長爬電距離和高隔離測試電壓，可保護在類似太陽能發電和風電機組的電網連接等高壓環境中的工人和設備?，F在，希望在產品中全面使用表面貼裝元器件以實現靈活生產的客戶可以使用CNY64ST和CNY65ST，這兩款器件填補了現有CNY6x系列通孔器件在封裝形式上的空白。
2011-10-26
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Si8802DB|Si8805EDB：Vishay推出業內最小N溝道和P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率MOSFET所用的MICRO FOOT?封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%，而導通電阻則與之相當甚至更低。
2011-10-21
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DG92xx系列：Vishay推出新款CMOS模擬開關和多路復用器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款可使用2.7V～16V單電源或±2.7V～±8V雙電源工作的新器件，充實其DG92xx系列CMOS模擬開關和多路復用器。新器件具有工作電壓范圍寬、小封裝尺寸和兼容低電壓邏輯的特點，可用于高速、高精度開關應用。
2011-10-18
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Vishay Siliconix發布6款采用超小尺寸封裝的新型低電壓模擬開關
Vishay Siliconix發布6款采用超小尺寸封裝的新型低電壓模擬開關賓夕法尼亞、MALVERN — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出6款新型采用節省空間的TDFN和MSOP表面貼裝封裝的低電壓、高精度雙路單刀單擲(SPST)模擬開關--- DG721/2/3和DG2537/8/9。這些器件具有低功率損耗和低開關噪聲的性能，有利于改善信號完整性和提高系統精度
2011-10-17
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E系列：Vishay推出超低最大導通電阻600V和650V n溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。
2011-10-14
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Vishay的SiR662DP功率MOSFET獲《今日電子》Top10 DC/DC電源產品獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET?功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產品獎的獲獎產品。
2011-10-11
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IWAS-4832FF-50：Vishay發布高磁導屏蔽的接收線圈用于無線充電
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業界首款商用基于鐵粉材料、符合WPC (無線電源聯盟)規范的無線充電接收線圈--- IWAS-4832FF-50，適用于有或沒有取向磁鐵的情況。新的IWAS-4832FF-50采用非常耐用的結構和高磁導屏蔽，在對小于5W的便攜式電子產品進行無線充電時的效率大于70%。
2011-10-06
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