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TRITIUM DUO? ：TRIQUINT 推出最小尺寸功率放大器解決方案
技術創新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司近日宣布推出業內最小針對3G和4G智能手機的雙頻帶功放雙工器（PAD）。該新型 TRITIUM Duo? 系列在單一緊湊模塊中結合了兩個特定頻帶的功率放大器（PA）和雙工器，有效地替代了多達12個分立器件。
2012-02-27
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HFP：TE的推出用于GSM850/900電源切換RF開關
TE Connectivity公司推出了用于GSM850/900的HFP開關。第三代信息和信號技術需要新的接收RF（射頻）信號的電路開關。GSM（全球移動通信系統）是蜂窩網絡使用最廣泛的頻率范圍。有了HFP，TE可直接滿足GSM850/900應用中從824到960MHz頻段的電源切換RF開關的需求。
2012-02-24
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中國物聯網或難達到十二五規劃目標
DIGITIMES指出，由于起步較歐美國家晚，中國大陸物聯網產業發展不管在技術、標準制訂、產業供應鏈，或應用發展上，都落后國際許多。為力圖超越國際廠商在大陸物聯網市場的主導地位，大陸十二五規劃將物聯網列為7大戰略性新興產業，而政策具體執行方式與目標，已經在2011年12月7日工信部公布的《物聯網十二五發展規劃》明文指示。
2012-02-24
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LCD事業持續虧損及OLED商機
近日，三星電子(Samsung Electronics)召開董事會，決定將LCD事業獨立出去(所謂的「分社化」)，成立暫名為Samsung Display新公司。DIGITIMES Research資深分析師兼副主任黃銘章分析，該事業分社化計劃預計在3月召開的三星電子股東會中予以確認。待4月初三星電子LCD事業正式「分社化」后，下一步即是將暫名為Samsung Display的新公司與SMD合并，完成顯示面板事業的整合。
2012-02-22
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IMF：TE推出用于零瓦電路的靈敏雙穩態小尺寸繼電器
TE Connectivity 公司推出用于零瓦電路的IMF繼電器。如果沒有像移動手機連接器之類的終端設備，零瓦充電器就會停止從電網中取電， TE的IMF是專為這樣的應用而設計的，其設計是對現有AXICOM IM繼電器產品線的補充。
2012-02-22
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DIGITIMES Research：TSV 3D IC面臨諸多挑戰
TSV 3D IC技術雖早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技術水準皆尚未成熟情況下，TSV 3D IC技術發展速度可說是相當緩慢，DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，直至2007年東芝(Toshiba)將鏡頭與CMOS Image Sensor以TSV 3D IC技術加以堆棧推出體積更小的鏡頭模塊后，才正式揭開TSV 3D IC實用化的序幕。
2012-02-22
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Digi-Key與Ramtron 簽署全球經銷協議
Digi-Key 公司是一家知名的電子元件經銷商，被設計師們譽為業內最廣泛的電子元件庫，提供立即發貨服務，日前宣布已經與 Ramtron International Corporation簽署全球經銷協議。
2012-02-20
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高性能SERDES及其在CPRI接口的應用分析
TI（德州儀器）推出一系列高性能的通用SERDES，滿足高帶寬、高性能的應用要求，廣泛應用在WI系統、接入設備、傳送網絡、數據通信等通信產品，以及工業控制系統。本文以TLK3132為例，詳細介紹了SERDES工作原理和器件特點，并以WI系統中的CPRI應用需求為例，提供TLK3132的設計方法等。
2012-02-20
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UCD3138：德州儀器推出新一代數字電源控制器
日前，德州儀器 (TI)為優化AC/DC 及隔離式 DC/DC 電源應用推出業界最高集成度且可配置數字電源管理控制器，進一步壯大其豐富的模擬及數字電源管理解決方案陣營。該 UCD3138為設計人員提供創新途徑，可為服務器、電信整流器以及大功率 DC/DC 模塊中各種電源拓撲提高電源密度與可靠性。
2012-02-17
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IR3551：IR擴充PowIRstage系列以提升擴展性與性能
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3551以擴充PowIRstage 集成式器件系列，新器件特別適合下一代服務器、臺式電腦、顯卡及通信系統應用。
2012-02-17
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TE推出業界最低電容硅靜電放電保護器件用于高數據速率應用
TE Connectivity旗下的一個業務部門TE電路保護部日前發布一個系列8款全新的單/多通道硅靜電放電（SESD）保護器件，可提供市場上最低的電容（雙向：典型值為0.10pF，單向：典型值為 0.20pF）、最高的ESD保護（20kV空氣放電和接觸放電）和最小尺寸封裝（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度為0.31mm）。
2012-02-16
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LM5114：德州儀器新推用于配合電源轉換器的低側柵極驅動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出用于配合高密度電源轉換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應晶體管 (FET) 使用的低側柵極驅動器。LM5114 可驅動同步整流器與功率因數轉換器等低側應用中的 GaN FET 與 MOSFET。該系列加上 2011 年推出的業界首款 100 V 半橋 GaN FET 驅動器 LM5113，可為高性能電信、網絡以及數據中心應用中使用的大功率 GaN FET 與 MOSFET 提供完整的隔離式 DC/DC 轉換驅動器解決方案。
2012-02-13
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