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隔離比較器在電機系統中的應用
電機在工業領域具有廣泛的應用，而電機驅動系統的趨勢是高效率，高功率密度和高可靠性。功率半導體供應商不斷在導通損耗和開關速度上實現突破，推出更高的電流等級、更小的封裝尺寸以及更短的短路耐受時間的半導體器件。并且隨著寬禁帶半導體器件成本降低，也使得電機驅動系統逐步開始使用SiC,GaN器件。這些功率器件的發展及應用使得電機驅動系統的效率以及功率密度得到了提高，但也對驅動系統的可靠性，尤其過流及短路保護的響應時間提出了更高的要求。
2022-04-25
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隔離型驅動的新勢力：英飛凌無磁芯變壓器隔離型驅動
一提到隔離型驅動，不少硬件研發工程師就會先入為主想到光耦。可光耦真的是唯一選擇嗎？伴隨著全球電氣化和數字化的趨勢，電力電子技術的發展也日新月異：功率器件開關頻率進一步提高，寬禁帶器件使用方興未艾，終端應用環境更加復雜惡劣，這些都對隔離型驅動的性能和可靠性提出了全新的挑戰。
2022-04-20
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從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結構及性能優劣勢對比
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動，碳化硅功率器件取得了長足發展。更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅這樣的寬帶隙（WBG）器件也給應用研發帶來了設計挑戰，因而業界對于碳化硅MOSFET浪涌電流、短路能力、柵極可靠性等仍心存疑慮，對于平面柵和溝槽柵的選擇和權衡也往往迷惑不清。
2022-03-20
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基于CoolSiC的高速高性能燃料電池空壓機設計
燃料電池用空壓機開關頻率高，空間有限，集成度高，采用單管設計的主要挑戰是如何提高散熱效率。本設計中功率器件和散熱器采用DBC+焊接工藝，提高了SiC MOSFET的輸出電流能力，從而有效降低了系統成本的，并且簡化安裝方式。
2022-03-03
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英飛凌650V混合SiC IGBT單管助力戶用光伏逆變器提頻增效
戶用光伏每年裝機都在高速增長，單相光伏逆變器功率范圍基本在3~10kW，系統電路示意框圖如圖1所示，從光伏電池板經過逆變器中DC/DC，DC/AC電路實現綠電的能量轉換，英飛凌能提供一站式半導體解決方案包括650V功率器件、無核變壓器CT技術驅動IC、主控制MCU和電源管理芯片等。
2022-03-01
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派恩杰SiC驅動設計新探索：如何避免誤開通？
隨著SiC 工藝逐漸成熟和成本不斷下降，SiC MOSFET憑借整體性能優于硅基器件一個數量級的優勢正逐漸普及，獲得越來越多的工程應用。相較于傳統的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導通電阻，更快的開關速度，使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度化，因此廣泛適用于5G數據中心通信電源，新能源汽車車載充電機，電機驅動器，工業電源，直流充電樁，光伏，UPS等各類能源變換系統中。
2022-02-10
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SiC功率器件使用過程中的常見問題集（上）
由于SiC 材料具有更高的擊穿場強、更好的熱穩定性、更高的電子飽和速度及禁帶寬度，因此能夠大大提高功率器件的性能表現。相較于傳統的Si功率器件，SiC 器件具有更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度化。當前碳化硅功率器件主要在新能源汽車的車載充電機、充電樁、計算機電源、風電逆變器、光伏逆變器、大型服務器電源、空調變頻器等領域，根據Yole估計，未來市場將有每年30% 左右的高速增長。為此，派恩杰推出1700V,1200V,650V各種電壓等級SiC MOSFET以應對市場需求。在從硅器件到碳化硅器件使用轉變過程中，客戶常常會遇到一些疑問或者使用問題，為此，派恩杰針對客戶的問題進行歸納總結并分享一些解決辦法。
2022-02-09
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基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解
追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員。相較于前兩代二極管，基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上，實現了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向導通壓降。
2022-02-08
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在當今高壓半導體器件上執行擊穿電壓和漏流測量
在經過多年研究和設計之后，碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN)功率器件正變得越來越實用。這些器件盡管性能很高，但它們也帶來了許多挑戰，包括柵極驅動要求。SiC要求的柵極電壓(Vgs)要高得多，在負偏置電壓時會關閉。GaN的閾值電壓(Vth)則低得多，要求嚴格的柵極驅動設計。寬帶隙(WBG)器件由于物理特點，機身二極管壓降較高，因此對空轉時間和打開/關閉跳變的控制要求要更嚴格。
2022-01-27
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IGBT和MOSFET該用誰？你選對了嗎？
半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關器件，具有開關速度快、易于驅動、損耗低等優勢。IGBT全稱是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動式半導體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降兩方面的優點。隨著新能源汽車、智能家電、5G、軌道交通等行業的興起，MOSFET和IGBT也迎來了發展的春天。
2022-01-26
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IGBT集電極電壓超過額定電壓會發生什么？
我們常常被告誡：實際應用中，IGBT集電極電壓絕對不能超過額定值，否則器件有可能被擊穿。然后有的同學并不死心：如果我只超了一點點呢，1210V就會擊穿嗎？如果只是一個非常短非常短，比如只有1us的脈沖呢？功率器件也沒那么脆弱啊對不對？
2022-01-25
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SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？
自舉式懸浮驅動電路可以極大的簡化驅動電源的設計，只需要一路電源就可以驅動上下橋臂兩個開關管的驅動，可以節省Si MOSFET功率器件方案的成本。隨著新能源受到全球政府的推動與支持，與新能源相關的半導體芯片需求激増，導致產能緊缺。綠色低碳技術創新應用是實現碳中和目標的重要一環，碳化硅是應用于綠色低碳領域的共用性技術，SiC MOSFET替代Si MOSEFET成為了許多廠商的新選擇。不過，SiC MOSFET的驅動與Si MOSFET到底有什么區別，替代時電路設計如何調整，是工程師非常關心的。我們《SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現負壓？》一文中已經分享了負壓自舉的小技巧。本文SiC MOSFET驅動常規自舉電路的注意事項。
2022-01-17
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