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SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？
眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖傳手藝。在硅基產品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，SiC MOSFET選擇溝槽結構，和IGBT是完全不同的思路。咱們一起來捋一捋。
2023-01-27
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低電感ANPC拓撲結構集成新型950V IGBT和二極管技術，滿足光伏應用的需求
本文介紹了新型950V IGBT和二極管技術。950V IGBT結構基于微溝槽理念，與典型1200V技術相比，新型950V IGBT和二極管的靜態損耗和/或開關損耗顯著降低。通過分析應用需求與功率模塊設計的相互作用，本文確定了功率模塊的應用結果和優化路徑。得益于經優化的功率模塊設計和采用950V技術，近期推出的無基板Easy3B解決方案實現了全集成1500V ANPC拓撲結構。該拓撲結構的額定電流達到400A，而雜散電感低至僅15nH。
2023-01-16
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高壓柵極驅動IC自舉電路的設計與應用指南
本文講述了一種運用功率型MOSFET和IGBT設計高性能自舉式柵極驅動電路的系統方法，適用于高頻率，大功率及高效率的開關應用場合。不同經驗的電力電子工程師們都能從中獲益。在大多數開關應用中，開關功耗主要取決于開關速度。因此，對于絕大部分本文闡述的大功率開關應用，開關特性是非常重要的。
2023-01-13
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如何優化隔離柵級驅動電路?
柵極驅動光電耦合器FOD31xx系列的功能是用作電源緩沖器，來控制功率MOSFET或IGBT的柵極。它為MOSFET 或 IGBT 的柵極輸入供應所需的峰值充電電流，來打開器件。該目標通過向功率半導體的柵極提供正壓(VOH)來實現。若要關閉MOSFET或IGBT，需拉起驅動器件的柵極至0電壓(VOL)或更低。
2023-01-10
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滿足高度緊湊型1500-V并網逆變器需求的新型ANPC功率模塊
本文提出了一種優化的ANPC拓撲結構。該拓撲結構支持最新的1200-V SiC T-MOSFET與IGBT技術優化組合，實現成本效益。市場上將推出一款采用全集成ANPC拓撲結構的新型功率模塊，適用于高度緊湊型、高效率1500-V并網逆變器。新開發的Easy3B功率模塊在48kHz頻率條件下，可以實現輸出功率達到200kW以上。此外，相應的P-Q圖幾乎呈圓形。這意味著，該功率模塊適用于儲能系統等新興應用。
2023-01-10
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先進碳化硅技術，有效助力儲能系統
人們普遍認識到，碳化硅（SiC）現在作為一種成熟的技術，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業，覆蓋工業、能源和汽車等眾多領域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應用具有更多優勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的溫度和更小的磁性元件，熱管理和電源組件現在尺寸更小，重量更輕，成本更低，從而降低了總 BOM 成本，同時也實現了更小的占用空間。
2022-12-22
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簡述SiC MOSFET短路保護時間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。
2022-12-22
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通過轉向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉換中的權衡問題
高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現在有機會在提高性能的同時，應對所有其他挑戰。
2022-12-16
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分析自動化第三季度市場數據，看IC與方案需求
今年第三季度，電池和光伏制造業訂單增長最好，印刷、制藥、暖通空調、食品機械和電梯持平，其它行業都有降低。相關應用的MCU，DPS，MOSFET，IGBT和電源管理IC需求受終端設備制造商影響有變化，PLC和工控機用HMI方案和網關也有市場需求起伏。其中伺服、CNC增長率為負，低壓變頻器、大中小型PLC、HMI均有一定程度的正增長，其中PLC整體表現相對亮眼，達到兩位數以上的增長率。
2022-12-16
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新一代1700V IGBT7技術及其在電力電子系統中的應用優勢
EconoDUAL?3是一款經典的IGBT模塊封裝，其上一代的1700V系列產品已經廣泛應用于級聯型中高壓變頻器、靜止無功發生器（SVG）和風電變流器，覆蓋了中功率和一部分大功率的應用場合。隨著芯片技術的發展和市場對高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛凌已經基于最新的1700V IGBT7技術開發了新一代的EconoDUAL?3模塊，并率先推出了900A和750A兩款新產品。本文首先分析了上一代最大電流等級600A的產品FF600R17ME4[1]在MVD和SVG中的典型應用，然后介紹了1700V IGBT7的芯片特性和EconoDULA?3模塊的性能優化。通過與FF600R17ME4對比，分析了900A和750A的產品優勢。最后，針對級聯高壓變頻器和靜止無功發生器的應用場景，通過仿真對比，闡明了新一代IGBT產品在輸出能力和功率損耗等方面為系統帶來的價值。
2022-12-15
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適用于下一代大功率應用的XHP2封裝
軌道交通牽引變流器的平臺化設計和易擴展性是其主要發展方向之一，其對半導體器件也提出了新的需求。一方面需要半導體器件能滿足更寬的電壓等級和電流等級，另一方面也要兼容電力電子器件的新技術，比如IGBT5/.XT或SiC MOSFET。這樣既有利于電力電子系統的平臺化設計，也可以增加系統的功率密度，減小系統的尺寸和體積。因此，半導體器件需要具有更低的雜散電感、更大的電流等級和對稱的結構布局。本文介紹了一種新的用于大功率應用的XHP? 2 IGBT模塊，包括低雜散電感設計原理、開關特性和采用IGBT5/.XT技術可以延長模塊的使用壽命等關鍵點。
2022-12-05
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用于 EV 充電系統柵極驅動的隔離式 DC／DC 轉換器
電動汽車充電系統正在不斷發展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導和開關損耗。然而，SiC 更快的開關速率以及更高的電壓會對柵極驅動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產品經理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關于該公司用于此類柵極驅動應用的隔離式 DC/DC 轉換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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