【導讀】近日，安森美半導體推出新的第二代場截止型IGBT器件，降低開關損耗達30%，因而提供更高能效，并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度，為設計人員增強系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標應用進行了優(yōu)化，比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達20%。
安森美半導體持續(xù)擴充高性能絕緣門雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品陣容，應用于消費類電器及工業(yè)應用的高性能電源轉(zhuǎn)換(HPPC)。安森美半導體新的第二代場截止型(FSII)IGBT器件改善開關特性，降低損耗達30%，因而提供更高能效，并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度，為設計人員增強系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標應用進行了優(yōu)化，相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達20%。
圖示：安森美第二代截止型IGBT器件
安森美半導體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“電器的使用數(shù)量持續(xù)增多，使不斷增長的工業(yè)及消費市場的總能耗穩(wěn)步上升。安森美半導體持續(xù)開發(fā)薄晶圓工藝及植入技術，能夠顯著提升IGBT性能，而這對配合更多高能效方案的需求極為重要。”
新型IGBT器件特性：
公司推出的FSII IGBT首組產(chǎn)品是NGTBxxN120IHRWG和NGTBxxN135IHRW；這些器件優(yōu)化了開關性能并降低了導電損耗，用于采用15千赫茲(kHz)到30kHz的中等頻率工作的電磁加熱和軟開關應用。器件在大電流時提供極佳的強固性和優(yōu)異的導通狀態(tài)特性，根據(jù)系統(tǒng)要求經(jīng)過優(yōu)化，以提供更高能效及降低系統(tǒng)損耗。這些高速IGBT提供領先業(yè)界的系統(tǒng)級性能，用于電磁加熱產(chǎn)品，如電火鍋、電飯煲及微波爐等電器。這系列器件提供1,200伏(V)及1,350V平臺版本，額定電流涵蓋20安培(A)、30A及40A。
增強的熱性能：
安森美半導體的FSII IGBT技術進一步擴充，新產(chǎn)品還包括NGTBxxN120FL2WG和NGTBxxN135FL2WG系列器件，專門設計用于太陽能逆變器、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)及變頻焊機應用。這些器件提供增強的熱性能，結(jié)點工作溫度范圍達-55到+175°C，并將額定電流能力提升至采用TO-247封裝條件下的100A。
安森美半導體提供高品質(zhì)及可靠IGBT的實力悠久，其中通過汽車行業(yè)AEC-Q認證的IGBT量產(chǎn)已經(jīng)超過十年。2011年，公司開始開發(fā)新的高壓/大電流IGBT，用于不斷增長、持續(xù)需求高能效方案的工業(yè)及消費類市場。安森美半導體采用專有溝槽場截止型IGBT技術的首個完整產(chǎn)品系列于2012年發(fā)布，媲美互相競爭的技術。此次發(fā)布的最新FSII IGBT技術使安森美半導體居市場領先地位。
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