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淺析ESD防護與ESD防護器件
ESD會對電子產品帶來致命損害，本文介紹了防止ESD產生和保護電子設備不受ESD損害的方法。并專門介紹了瞬態電壓抑制器(TVS)在ESD保護方面的卓越性能。
2009-01-23
MLV TVS ESD 靜電 電路保護 安森美
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市場低迷下元器件分銷攻略:得渠道者得未來(二）
2008年市場需求的下滑使電子元器件廠家的銷售壓力增大，很多企業都沒有完成預期的指標。而2009年的經濟形勢現在并不明朗，有專家認為上半年有可能會繼續下滑，這無疑給元器件廠家的分銷工作提出了嚴峻的挑戰。本期分銷策略專題特別邀請了業內部分知名企業針對分銷熱點問題發表精彩觀點
2009-01-23
電子元器件 分銷 市場 模擬器件 demandcreation designin
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1200V IGBT4：具備優化特性的英飛凌新一代功率半導體
對于采用先進、高效的變頻器的工業節能應用市場而言，經過優化的各種功率半導體是不可或缺的。英飛凌推出的全新1200V IGBT4 系列，結合改進型發射極控制二極管，針對高中低功率應用提供了三款產品，可面向不同應用滿足現代化變頻器的要求。
2009-01-22
IGBT4-T4 IGBT4-E4 IGBT4-P4 IGBT 功率模塊
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電子電路產業穩中有升、面臨轉型
中國電子電路產業將進入重新調整布局的新時代，產品技術含量越來越高，企業具有更多的自主研發、自主知識產權的項目，管理水平全面提升，企業效益不斷增長，三廢治理逐步達到國際先進水平。中國將迎來PCB業強盛的新時代。 中國電子電路行業盡管這五六年有些起伏，但是近30年來總體上保持持續高...
2009-01-19
PCB 覆銅箔板 RoHS UL HDI 印制電路板 CCL 深南電路
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多晶硅量子效應及其對MOSFET閾值電壓的影響
根據載流子分布曲線近似，通過求解泊松方程，得到了多晶硅中電場及其電勢的分布，計算了在不同摻雜濃度下多晶硅量子效應所引起的MOSFET閾值電壓的偏移，并與數值模擬的結果進行了比較，表明其具有較好的準確性
2009-01-17
多晶硅量子 MOSFET 閾值電壓
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FCI收購IMPLO Technologies公司
法國FCI日前收購了面向電力市場的內爆(implosive)連接器產品開發商——IMPLO Technologies公司，這項收購將使FCI能夠把IMPLO開發的技術用于其為電力傳輸連接應用提供的產品。
2009-01-16
FCI內爆技術 電力應用
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太陽能發電成本下降，2010年將達到每千瓦時0.13美元
太陽能發電的成本不斷下降，但仍高于傳統的發電技術。
2009-01-15
太陽能發電 薄膜太陽能光電模組 硅晶太陽能光電模組
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WSLT2010xxx18：Vishay寬廣工作溫度電流感測電阻
Vishay日前推出新型高溫1-W 表面貼裝 Power Metal Strip電阻，該產品是業界首款可在–65°C 到+275°C 溫度范圍內工作的2010 封裝尺寸電流感測電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍（10-m? 到 500-m?）、較低的誤差（低至 ±0.5%）和低 TCR 值（低至 ±75 ppm/°C）。
2009-01-15
WSLT2010…18 電阻 Power Metal Strip 電流感測電阻 EMF TCR
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08年國內高純多晶硅產量同比爆增263.7%
國內20多個省市把光伏產業作重點，規劃或計劃建設多晶硅項目，國內對千噸級多晶硅的規模化生產技術尚未完全掌握，但光伏太陽能下游產能增長快，為國內多晶硅企業提升工藝技術留下緩沖時間。
2009-01-14
洛陽中硅 新光硅業 江蘇中能 東汽峨嵋 多晶硅 光伏產業 太陽能
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