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詳細(xì)為你講解場效應(yīng)管電路圖符號(hào)
場效應(yīng)管英文縮寫為FET（Field-effect transistor），是一種高輸入阻抗的電壓控制型半導(dǎo)體。場效應(yīng)管也是一種晶體三極管，也有三個(gè)極，分別叫源極S，柵極G，漏極D。
2019-12-11
場效應(yīng)管
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如何搞定功耗和空間，實(shí)現(xiàn)可靠又緊湊的隔離模擬輸出模塊？
為可編程邏輯控制器(PLC)或分布式控制系統(tǒng)(DCS)模塊等過程控制應(yīng)用設(shè)計(jì)通道間隔離模擬輸出模塊時(shí)，主要權(quán)衡因素通常是功耗和通道密度。
2019-12-10
隔離模塊 模擬輸出模塊
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為什么超低阻抗SiC FET受歡迎？它能使系統(tǒng)冷卻運(yùn)行！
功率半導(dǎo)體開關(guān)通常在用于電路設(shè)計(jì)時(shí)，能夠在不增加開關(guān)損耗的情況下減小電流傳導(dǎo)期間的損耗，這是其一大優(yōu)勢。在各種電路保護(hù)應(yīng)用中，器件需要連續(xù)傳送電流，較低的傳導(dǎo)態(tài)損耗有利于使系統(tǒng)保持較高的效率，并將產(chǎn)生的廢熱降至最低。如果在這些應(yīng)用中需要放心地使用這些功率開關(guān)，必須滿足各種類型...
2019-12-10
低阻抗 SiC FET 系統(tǒng)冷卻
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【4200 SMU應(yīng)用文章】之實(shí)例篇：高測試連接電容下穩(wěn)定測試弱電流
源測量單元(SMU)是一種可以提供電流或電壓，并測量電流和電壓的儀器。SMU用來對(duì)各種器件和材料進(jìn)行I-V表征，是為測量非常靈敏的弱電流，同時(shí)提供或掃描DC電壓而設(shè)計(jì)的。但是，在擁有長電纜或其他高電容測試連接的測試系統(tǒng)中，某些SMU可能不能在輸出上容忍這樣的電容，從而產(chǎn)生有噪聲的讀數(shù)和/或振蕩。
2019-12-10
連接電容 弱電流 SMU
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ADI的RF前端系列支持實(shí)現(xiàn)緊湊型5G大規(guī)模MIMO網(wǎng)絡(luò)無線電
在4G LTE蜂窩基站后期部署中，普遍采用大規(guī)模多路輸入、多路輸出(MIMO)無線電技術(shù)，特別是在密集的城市地區(qū)，小型蜂窩有效地填補(bǔ)了蜂窩覆蓋的空白，同時(shí)提高了數(shù)據(jù)服務(wù)速度。此架構(gòu)的成功清楚印證了其價(jià)值。
2019-12-10
ADI RF前端 5G 無線電
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靜電那些事兒
靜電是一種令人討厭的現(xiàn)象，當(dāng)冬天脫毛衣或下車時(shí)發(fā)出的 “噼啪”聲就是它的一種表現(xiàn)。在生產(chǎn)場所中，當(dāng)兩個(gè)類似物體相互摩擦或剝離時(shí)就會(huì)產(chǎn)生靜電現(xiàn)象。
2019-12-10
靜電
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4張動(dòng)態(tài)圖帶你秒懂橋式整流工作原理
橋式整流是對(duì)二極管半波整流的一種改進(jìn)。它利用二極管的單向?qū)ㄐ赃M(jìn)行整流，常用來將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姟６氩ㄕ骼枚O管單向?qū)ㄌ匦裕谳斎霝闃?biāo)準(zhǔn)正弦波的情況下，輸出獲得正弦波的正半部分，負(fù)半部分則損失掉。本文將分享幾張橋式整流電路工作原理的動(dòng)畫圖。
2019-12-09
橋式整流 整流電路
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MOS管損壞之謎：雪崩壞？發(fā)熱壞？內(nèi)置二極管壞？寄生振蕩損壞？電涌、靜電破壞？
在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。
2019-12-09
MOS管 雪崩 寄生振蕩 電涌
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如何實(shí)現(xiàn)-12V輸入到+5V輸出?
這樣的一個(gè)應(yīng)用：-12V的輸入，+5V的非隔離輸出， 也就是負(fù)電壓輸入、正電壓輸出，應(yīng)該采用什么結(jié)構(gòu)的變換器？
2019-12-09
非隔離輸 變換器
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