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汽車應(yīng)用的線性穩(wěn)壓器與開關(guān)器
線性穩(wěn)壓器有什么新功能？讓我們從輸出電容器開始。采用熟悉的 0402 封裝的陶瓷電容器是當(dāng)今的電容器。這主要是因為改進(jìn)的材料將其溫度范圍從 125°C (257°F) 提高到 150°C (302°F)，并且改進(jìn)的安裝方法減少了熱沖擊并提高了抗振性。
2023-07-31
汽車應(yīng)用 線性穩(wěn)壓器 開關(guān)器
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基于模型設(shè)計提高車規(guī)級芯片功能安全設(shè)計效率
在汽車電氣化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化快速發(fā)展的今天，汽車所用的芯片數(shù)量與種類也日益增多。電氣化引領(lǐng)了汽車電子電氣架構(gòu)的革新，催生出域控制器等集中式大算力芯片和 IGBT 等功率芯片。智能化則引入了多種類的傳感器和 AI 應(yīng)用，帶動了雷達(dá)、激光雷達(dá)、攝像頭、智能座艙、5G 車聯(lián)網(wǎng)等模組、處理器、存儲...
2023-07-28
模型設(shè)計 車規(guī)級芯片
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電源設(shè)計更快更好，高效能圖騰柱PFC應(yīng)用須知
現(xiàn)今電源供應(yīng)器市場為因應(yīng)全球減碳活動，已經(jīng)將效能目標(biāo)設(shè)定為更高效率、減少損失、節(jié)省能源、降低成本、提高系統(tǒng)容量為主。安森美(onsemi)提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結(jié)合全橋整流器之PFC IC NCP1680/1681設(shè)計方案，相較傳統(tǒng)PFC之轉(zhuǎn)換效率可以提升3%~4%，符合未來電源供應(yīng)器之節(jié)省能源，降...
2023-07-28
電源設(shè)計 圖騰柱 PFC
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安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級到 800V 電池架構(gòu)
自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩(wěn)腳跟以來，電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時間就越長。
2023-07-28
安森美 MOSFET 車載充電器
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漏極和源極之間產(chǎn)生的浪涌
開關(guān)導(dǎo)通時，線路和電路板版圖的電感之中會直接積蓄電能（電流能量）。當(dāng)該能量與開關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時，就會在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來說明發(fā)生浪涌時的振鈴電流的路徑。這是一個橋式結(jié)構(gòu)，在High Side（以下簡稱HS）和Low Side（以下簡稱LS）之間連接了一個開關(guān)器件，該...
2023-07-27
漏極 源極 浪涌
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介紹一款適用于汽車和工業(yè)場合的高效同步SEPIC控制器
LT8711是一款直流-直流控制器，支持同步降壓、升壓、SEPIC、ZETA和非同步降壓-升壓等拓?fù)?。ADI有多款同步降壓、升壓變換器和控制器，但支持同步SEPIC拓?fù)涞牟⒉欢?。SEPIC拓?fù)淦鋵嵎浅嵱茫驗闊o論輸入電壓遠(yuǎn)低于或遠(yuǎn)高于輸出電壓，它都能提供穩(wěn)定的電平輸出。
2023-07-27
汽車 工業(yè) SEPIC控制器
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奧飛聲學(xué)劉端：回皖創(chuàng)業(yè)，用創(chuàng)新推動MEMS市場
隨著城市發(fā)展、工業(yè)進(jìn)步和生活水平的提升，智能傳感器的市場正在高速增長，尤其以半導(dǎo)體微納工藝制造的MEMS傳感器，得到了廣泛的應(yīng)用。我們身邊的手機、汽車、智能家電等，都使用了大量的MEMS傳感器。近年來，MEMS傳感器保持高速增長，廣泛的應(yīng)用產(chǎn)生了巨大的市場。
2023-07-27
奧飛聲學(xué) MEMS
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輔助駕駛毫米波雷達(dá)信號處理流程詳解
毫米波雷達(dá)大規(guī)模用于汽車輔助駕駛的傳感器，由于受氣象變化、可見光強弱影響較小，測距較精準(zhǔn)，可以和攝像頭取長補短，共同實現(xiàn)可靠的AEB功能。2018年版C-NCAP加入了主動安全配置(AEB)性能測試要求，而2021年版C-NCAP調(diào)高了主動安全部分權(quán)重【1】。交通運輸部發(fā)布了《營運車輛自動緊急制動系統(tǒng)性能...
2023-07-26
輔助駕駛毫 米波雷達(dá) 信號處理
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動器使用指南
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件...
2023-07-26
SiC MOSFET 隔離柵極驅(qū)動器
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