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因芯片需求回升，Q2半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)3.7%
由于電子產(chǎn)品需求增長(zhǎng)，促使廠商增加半導(dǎo)體庫(kù)存，以便向電子產(chǎn)品制造商提供足夠的芯片，據(jù)IHS iSuppli預(yù)計(jì)，第二季度半導(dǎo)體供應(yīng)鏈內(nèi)的營(yíng)業(yè)收入將增長(zhǎng)3.7%。
2013-04-07
IHS iSuppli 半導(dǎo)體 DOI
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LED背光在車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)中的設(shè)計(jì)及應(yīng)用
LED背光照明在汽車(chē)上已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，尤其是在儀表板、導(dǎo)航儀等車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)上。由于這些應(yīng)用處于嚴(yán)酷的汽車(chē)電環(huán)境中，必須補(bǔ)償范圍很寬的環(huán)境照明條件變化，而且必須能放入非常受限的空間中，該如何優(yōu)化這種設(shè)計(jì)呢？
2013-04-07
LED背光 車(chē)載 汽車(chē)
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柏恩開(kāi)發(fā)出極端嚴(yán)酷環(huán)境用非接觸式旋轉(zhuǎn)位置傳感器
美國(guó)柏恩(Bourns)最新開(kāi)發(fā)出的非接觸式旋轉(zhuǎn)位置傳感器為病人平臺(tái)位置反饋、氣動(dòng)控制閥位反饋、促動(dòng)器定位反饋、升降機(jī)/穿梭懸掛系統(tǒng)和傾斜控制反饋等惡劣應(yīng)用環(huán)境提供了一個(gè)理想的、長(zhǎng)壽命和高可靠性解決方案。
2013-04-07
柏恩 位置傳感器 工業(yè)
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針對(duì)不斷增長(zhǎng)的半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)，安森美如何應(yīng)對(duì)
過(guò)去兩年低靡的半導(dǎo)體市場(chǎng)將在2013年迎來(lái)復(fù)蘇，各代理商重新補(bǔ)貨，平板電腦、智能手機(jī)市場(chǎng)不斷成熟，針對(duì)這樣不斷增長(zhǎng)的半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)，安森美采取一系列策略，積極應(yīng)對(duì)。
2013-04-07
半導(dǎo)體 智能手機(jī) 平板電腦 安森美
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馬永健老師談EMC到底該如何設(shè)計(jì)？
近日參加了EMC專(zhuān)家馬永健老師的培訓(xùn)課，雖只是EMC設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)和元器件選型，卻讓我茅塞頓開(kāi)，相比之下，我的知識(shí)儲(chǔ)備真是微不足道。現(xiàn)將自己獲得的一些知識(shí)分享出來(lái)，共同學(xué)習(xí)。
2013-04-02
馬永健 EMC
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汽車(chē)級(jí)USB3.0和Thunderbolt接口SESD保護(hù)元件
對(duì)行車(chē)和倒車(chē)安全的重視正驅(qū)使越來(lái)越多的汽車(chē)信息娛樂(lè)系統(tǒng)采用超高速數(shù)據(jù)接口，包括USB 3.0、HDMI 1.4和Thunderbolt，為了保護(hù)這些高速數(shù)據(jù)線免受ESD影響，TE電路保護(hù)部開(kāi)發(fā)出了電容低至0.1pF的汽車(chē)級(jí)SESD保護(hù)元件。
2013-03-31
USB3.0 Thunderbolt SESD
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Linear推出纖巧型精準(zhǔn)的低頻時(shí)鐘
近日，Linear推出簡(jiǎn)單、準(zhǔn)確的低頻時(shí)鐘 LTC6995，該器件可針對(duì)長(zhǎng)持續(xù)時(shí)間上電復(fù)位和看門(mén)狗定時(shí)器應(yīng)用獨(dú)特地進(jìn)行配置，適合于要求苛刻的汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用。
2013-03-30
Linear 低頻時(shí)鐘
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TE電路保護(hù)部榮獲中國(guó)電子成就獎(jiǎng)
TE旗下的業(yè)務(wù)部門(mén)TE電路保護(hù)部憑借2Pro AC產(chǎn)品2013年度電子成就獎(jiǎng)(ACE Award) 的年度最佳高性能元件類(lèi)別中贏得殊榮。2Pro AC是用于LED照明、智能電表、電器和電源等低電流應(yīng)用的AC線路保護(hù)解決方案。
2013-03-29
TE 電路保護(hù) 獲獎(jiǎng)
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SiC BJT：史上最高效率的1200V功率轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)
飛兆半導(dǎo)體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結(jié)型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一代替代技術(shù)，它可以在更高的溫度下轉(zhuǎn)換更高的電壓和電流。它允許更高的開(kāi)關(guān)頻率，但能保持相同或更低的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗，從而允許使用更小的電感、電容和散熱器，不僅可降低系統(tǒng)BOM成本，而且可在相同外形因子下提高輸出功率，或...
2013-03-29
飛兆半導(dǎo)體 IGBT 碳化硅 雙極結(jié)型晶體管
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